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STGWA20H65DFB2

Name: STMicroelectronics STGWA20H65DFB2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA20H65DFB2
Price: 515 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

511-STGWA20H65DFB2

メーカ番号：

STGWA20H65DFB2

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

IGBT Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l

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データシート:

STGWA20H65DFB2 データシート (PDF)

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	¥317.6	¥3,176
	¥213.3	¥21,330
	¥195.9	¥117,540
	¥172.2	¥206,640

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	IGBT
RoHS:
技術:	Si
パッケージ/ケース:	TO-247-3
取り付け様式:	Through Hole
構成:	Single
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値:	650 V
コレクタ - エミッタ飽和電圧:	1.65 V
最大ゲートエミッタ電圧:	- 20 V, 20 V
25 Cでのコレクターの直流:	40 A
Pd - 電力損失:	147 W
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	CN
ゲート - エミッタリーク電流:	250 nA
製品タイプ:	IGBT Transistors
工場パックの数量:	600
サブカテゴリ:	IGBTs
単位重量:	6.100 g

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PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

IGBT V Series

STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.

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