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STGWA60H65DFB

Name: STMicroelectronics STGWA60H65DFB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA60H65DFB
Price: 706 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
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Mouser 番号：

511-STGWA60H65DFB

メーカ番号：

STGWA60H65DFB

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

IGBT Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed

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データシート:

STGWA60H65DFB データシート (PDF)

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	¥391.8	¥3,918
	¥284.4	¥28,440

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	IGBT
RoHS:
技術:	Si
パッケージ/ケース:	TO-247-3
取り付け様式:	Through Hole
構成:	Single
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値:	650 V
コレクタ - エミッタ飽和電圧:	2 V
最大ゲートエミッタ電圧:	- 20 V, 20 V
25 Cでのコレクターの直流:	80 A
Pd - 電力損失:	375 W
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
シリーズ:	STGWA60H65DFB
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
連続コレクタ電流 IC 最大値:	80 A
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	CN
ゲート - エミッタリーク電流:	250 nA
製品タイプ:	IGBT Transistors
工場パックの数量:	600
サブカテゴリ:	IGBTs
単位重量:	38 g

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データシート

STGWA60H65DFB データシート (PDF)

PCN

JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

650V HBシリーズ・トレンチ・ゲートフィールド停止IGBT

STMicroelectronics 650V HBシリーズトレンチゲートフィールドストップIGBTは、独自の先進的トレンチゲートとフィールドストップ構造を使用して開発されたIGBTです。あらゆる周波数コンバータの効率性を最大化するため、導電性と切替損失によるマイナスを最適化します。STの先進的トレンチゲートフィールドストップ高速技術により、これらのIGBTは最小限のコレクタ電流オフ時テール電流、および1.6V（typical）の非常に低い飽和電圧（Vce_(sat)）で、切り替え中およびオン時のエネルギー損失を最小限に抑えます。さらに、ややプラスのVCE_(sat) 温度係数と非常にタイトなパラメータ分布により、より安全な並列接続動作がもたらされます。
詳細

パワーMOSFETとIGBTの最新技術

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