STL45N60DM6

STMicroelectronics
511-STL45N60DM6
STL45N60DM6

メーカ:

詳細:
MOSFET N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

ECADモデル:
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,148.7 ¥1,149
¥780.5 ¥7,805
¥589.3 ¥58,930
¥586.2 ¥293,100
¥545.1 ¥545,100
完全リール(3000の倍数で注文)
¥545.1 ¥1,635,300

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-8x8-5
N-Channel
1 Channel
600 V
25 A
110 mOhms
- 25 V, 25 V
3.25 V
44 nC
- 55 C
+ 150 C
160 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Cut Tape
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: CN
下降時間: 7.3 ns
水分感度: Yes
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 5.3 ns
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 50 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 15 ns
単位重量: 180 mg
製品が見つかりました:
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選択した属性: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

600V MDmesh™ DM6スーパージャンクションMOSFET

STMicroelectronics 600V MDmesh™ DM6スーパージャンクションMOSFETは、ZVS、フルブリッジ、ハーフブリッジ技術用に最適化されています。MDmesh DM6パワーMOSFETには、600Vの絶縁破壊電圧が備わっており、最適化された静電容量特性とライフタイム消費プロセスが組み合わされています。MDmesh DM6 MOSFETには、低ゲート電荷(Qg)、非常に低い回復電荷(Qrr)、低回復時間(trr)、優れたRDS(on)/エリアが備わっています。