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STP100N10F7

Name: STMicroelectronics STP100N10F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP100N10F7
Price: 426 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
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Mouser 番号：

511-STP100N10F7

メーカ番号：

STP100N10F7

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

MOSFET N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 150

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データシート:

STP100N10F7 データシート (PDF)

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	¥211.7	¥2,117
	¥189.6	¥18,960
	¥155.9	¥77,950
	¥144.3	¥144,300

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	100 V
Id - 連続ドレイン電流:	80 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	8 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4 V
Qg - ゲート電荷:	56 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	150 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	STripFET
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	SG
下降時間:	16 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	40 ns
シリーズ:	STP100N10F7
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	46 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	27 ns
単位重量:	2 g

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データシート

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PCN

JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

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