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STP18N65M2

Name: STMicroelectronics STP18N65M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP18N65M2
Price: 502 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-STP18N65M2

メーカ番号：

STP18N65M2

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

MOSFET N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

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データシート:

STP18N65M2 データシート (PDF)

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数量	ユニット価格	合計額
	¥502.4	¥502
	¥257.5	¥2,575
	¥232.3	¥23,230
	¥188	¥94,000
	¥175.4	¥175,400

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	12 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	275 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 25 V, 25 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2 V
Qg - ゲート電荷:	20 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	110 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	MDmesh
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	CN
下降時間:	12.5 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	7.5 ns
シリーズ:	STP18N65M2
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	46 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	11 ns
単位重量:	2 g

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選択した属性: 0

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データシート

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PCN

JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

パワーMOSFETとIGBTの最新技術

STMicroelectronicsは、パワーMOSFETとIGBTの最新技術を提供します。STは、SMPS、照明、モータ制御、およびさまざまな産業アプリケーションをターゲットとしたお客様の特定のアプリケーションに合わせてカスタマイズされたMOSFETSおよびIGBTの広範なポートフォリオを提供しています。STのポートフォリオには、ハードおよびソフト・スイッチド・トポロジ用の高電圧スーパージャンクションMOSFETとトレンチゲート・フィールドストップIGBT、ならびに電力変換およびBLDCモータ駆動用の低電圧トレンチベースMOSFETがあります。STの最新の1200V SiC MOSFETは、非常に低いRDS(on)領域（最低変動対温度）を備えた業界で最も高温の200°Cのジャンクション定格温度と、より効率的で小型のSMPS設計のための卓越したスイッチング性能を組み合わせています。MシリーズIGBTは、モータ制御を対象としており、堅牢な短絡定格に加えてVCE(SAT)とE（off）の最適化されたトレードオフがあります。STのあらゆるパワー設計向けMOSFETおよびIGBTの総合的な品揃えをご覧ください。

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STマイクロエレクトロニクス MDmesh™ II パワーMOSFETは、業界最低レベルのオン抵抗とゲート電荷を達成するため、垂直構造をSTMのストリップレイアウトに関連付け、最も要求の厳しい高効率コンバータに対応させました。MDmesh™ II パワーMOSFETは、完全絶縁され、ピンからヒートシンク板までの沿面経路の長い薄型パッケージを使用しています。100%アバランシェ試験済みで、低い入力キャパシタンス、ゲート電荷、ゲート入力抵抗を特徴とします。
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