STPSC30G12WL

STMicroelectronics
511-STPSC30G12WL
STPSC30G12WL

メーカ：

詳細：
SIC SCHOTTKYダイオード 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
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データシート:
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥2,368.4 ¥2,368
¥1,768 ¥17,680
¥1,529.4 ¥152,940
¥1,461.5 ¥876,900
¥1,352.5 ¥1,623,000

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: SIC SCHOTTKYダイオード
RoHS:  
Through Hole
DO-247-2
Single
30 A
1.2 kV
1.35 V
250 A
15 uA
- 55 C
+ 175 C
Tube
ブランド: STMicroelectronics
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: CN
製品タイプ: SiC Schottky Diodes
工場パックの数量: 600
サブカテゴリ: Diodes & Rectifiers
単位重量: 6 g
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選択した属性: 0

データシート

PCN

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CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99

標準製品

STMicroelectronics標準製品は、幅広い業界標準およびドロップイン交換製品で、最も人気の高い汎用アナログIC、ディスクリート、シリアルEEPROMを対象としています。標準製品は、最高の品質基準に従って製造されており、数多くの製品が車載アプリケーション向けにAECQ認定されています。SPICE、IBISモデル、シミュレーションツールを始めとする包括的な設計支援は、設計に簡単に追加できます。

STPSC30G12 シリコンカーバイドパワーショットキーダイオード

STMicroelectronics  STPSC30G12 シリコンカーバイドパワーショットキーダイオードは、ロングリードのDO-247パッケージです。STMicroelectronics のSTPSC30G12は、シリコンカーバイド基板を使用して製造された超高性能 パワーショットキー整流器です。ワイドバンドギャップ材料の採用により、 1200V定格の低VFショットキーダイオード構造の設計が可能です。  ショットキー構造により、 ターンオフ時のリカバリーがなく、リンギングパターンも無視できるほどです。最小限の容量でターンオフする動作は、 温度に依存しません。

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