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STU6N65M2

Name: STMicroelectronics STU6N65M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STU6N65M2
Price: 254 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-STU6N65M2

メーカ番号：

STU6N65M2

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package

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データシート:

STU6N65M2 データシート (PDF)

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	¥254.4	¥254
	¥131.9	¥1,319
	¥98.3	¥9,830
	¥81.8	¥40,900
	¥69	¥69,000
	¥68.1	¥204,300

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-251-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	4 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	1.35 Ohms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 25 V, 25 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3 V
Qg - ゲート電荷:	9.8 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	60 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	MDmesh
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	CN
下降時間:	20 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	7 ns
シリーズ:	STU6N65M2
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
標準電源切断遅延時間:	6.5 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	19 ns
単位重量:	340 mg

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選択した属性: 0

                        
ST NCNR & NON Warrantied

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5-1013-36

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データシート

STU6N65M2 データシート (PDF)

PCN

JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

パワーMOSFETとIGBTの最新技術

STMicroelectronicsは、パワーMOSFETとIGBTの最新技術を提供します。STは、SMPS、照明、モータ制御、およびさまざまな産業アプリケーションをターゲットとしたお客様の特定のアプリケーションに合わせてカスタマイズされたMOSFETSおよびIGBTの広範なポートフォリオを提供しています。STのポートフォリオには、ハードおよびソフト・スイッチド・トポロジ用の高電圧スーパージャンクションMOSFETとトレンチゲート・フィールドストップIGBT、ならびに電力変換およびBLDCモータ駆動用の低電圧トレンチベースMOSFETがあります。STの最新の1200V SiC MOSFETは、非常に低いRDS(on)領域（最低変動対温度）を備えた業界で最も高温の200°Cのジャンクション定格温度と、より効率的で小型のSMPS設計のための卓越したスイッチング性能を組み合わせています。MシリーズIGBTは、モータ制御を対象としており、堅牢な短絡定格に加えてVCE(SAT)とE（off）の最適化されたトレードオフがあります。STのあらゆるパワー設計向けMOSFETおよびIGBTの総合的な品揃えをご覧ください。

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