STW48N60M6-4

STMicroelectronics
511-STW48N60M6-4
STW48N60M6-4

メーカ:

詳細:
MOSFET N-channel 600 V, 61 mOhm typ., 39 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package

ECADモデル:
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在庫: 48

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工場リードタイム:
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,450.4 ¥1,450
¥1,055.4 ¥10,554
¥880.1 ¥88,010
¥731.5 ¥438,900

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
600 V
39 A
69 mOhms
- 25 V, 25 V
3.25 V
57 nC
- 55 C
+ 150 C
250 W
Enhancement
MDmesh
Tube
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: CN
下降時間: 8.5 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 9 ns
シリーズ: Mdmesh M6
工場パックの数量: 600
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 60 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 20 ns
単位重量: 6 g
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選択した属性: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

MDmesh™ M6 MOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M6 MOSFETには、低ゲート電荷(Qg)と最適化された容量特性が組み合わされており、電力変換アプリケーションにおける新しいトポロジでの高い効率性を目的としています。スーパージャンクションMDmesh™ M6シリーズには、効率性が極めて高い性能が備わっており、電力密度の増大と低ゲート電荷がもたらされており、高周波数を目的としています。M6シリーズMOSFETには、600~700Vの破壊電圧範囲が備わっています。また、TOリードレス (TO-LL) パッケージ・ソリューションを始めとする広範なパッケージ・オプションがあり、効率的な熱管理が可能になります。このデバイスには、広範な動作電圧が備わっており、充電器、アダプタ、シルバー・ボックス・モジュール、LED照明、テレコム、サーバ、ソーラーを始めとする工業アプリケーションを対象としています。