STWA60N043DM9

STMicroelectronics
511-STWA60N043DM9
STWA60N043DM9

メーカ：

詳細：
MOSFET N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
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数量 ユニット価格
合計 額
¥1,722.2 ¥1,722
¥1,238.7 ¥12,387
¥1,098.1 ¥131,772
¥1,071.2 ¥546,312
¥1,046 ¥1,066,920

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
56 A
43 mOhms
- 30 V, 30 V
4.5 V
78.6 nC
- 55 C
+ 150 C
312 W
Enhancement
Tube
ブランド: STMicroelectronics
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: CN
製品タイプ: MOSFETs
シリーズ: MDmesh DM9
工場パックの数量: 30
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N Channel
単位重量: 6.100 g
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選択した属性: 0

データシート

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JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MDmesh™ M9パワーMOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M9パワーMOSFETは、性能が強化されたデバイス構造、オン抵抗値の削減、総ゲート電荷量の低減が特徴です。これらのパワーMOSFETは、より高い逆方向時のダイオードdv/dt、より堅牢なMOSFET dv/dt特性、電力密度の向上、伝導損失の低減を実現しています。MDmesh M9パワーMOSFETは、高速スイッチング、高効率、低いスイッチング電源損失も実現します。これらのパワーMOSFETは、優れた性能指数（FoM）を示す高耐圧を達成した革新的なスーパージャンクション・テクノロジーを設計に採用しています。高FoMにより、より小型のソリューションを対象にさらに高い電力レベルと密度の向上が可能です。一般的なアプリケーションには、サーバー、通信データ・センター、5Gパワー・ステーション、マイクロインバータ、高速充電器があります。

STP60N043DM9 MDmesh DM9パワーMOSFET

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