STWA70N65DM6

STMicroelectronics
511-STWA70N65DM6
STWA70N65DM6

メーカ：

詳細：
MOSFET N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
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データシート:
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最小: 1   倍数: 1
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¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥2,052.4 ¥2,052
¥1,745.9 ¥17,459
¥1,510.5 ¥151,050
¥1,335.1 ¥801,060

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
68 A
40 mOhms
- 25 V, 25 V
4.75 V
125 nC
- 55 C
+ 150 C
450 W
Enhancement
MDmesh
Tube
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
組立国: CN
拡散国: Not Available
原産国: CN
下降時間: 10.8 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 52 ns
工場パックの数量: 600
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 107 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 30.4 ns
単位重量: 6 g
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選択した属性: 0

データシート

JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STWA70N65DM6 Nチャンネル650V 68AパワーMOSFET

STWA70N65DM6 Nチャンネル650V 68AパワーMOSFETは、MDmesh DM6高速リカバリダイオードで、TO-247ロングリードパッケージに収められています。STWA70N65DM6には、1つの領域ごとに非常に低い回復電荷（Qrr）、非常に短い回復時間（trr）、優れたドレイン-ソース間ON抵抗（RDS(on)）と効果的なスイッチング動作が組み合わされています。これらの品質によって、要求の厳しい高効率ブリッジトポロジおよびZVS（ゼロ電圧スイッチング）位相シフトコンバータに最適です。

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