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CSD13306WT

Name: Texas Instruments CSD13306WT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD13306WT
Price: 263 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

595-CSD13306WT

メーカ番号：

CSD13306WT

メーカ：

Texas Instruments

詳細：

MOSFET 12V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD13306W

データシート:

CSD13306WT データシート

ECADモデル:

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パッケージング:

完全リール（250の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥263.9	¥264
	¥165.9	¥1,659
	¥96.1	¥9,610
完全リール（250の倍数で注文）
	¥96.1	¥24,025
	¥82.3	¥41,150
	¥74.1	¥74,100
	¥72.7	¥181,750

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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メーカ部品番号:

CSD13306W

梱包:

Reel, Cut Tape, MouseReel

在庫状況:

在庫

価格:

¥119

最低:

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メーカ：

Texas Instruments

メーカ番号：

CSD13306W

詳細：

MOSFET 12-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD13306WT

現在のパーツと比較

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Texas Instruments
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	DSBGA-6
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	12 V
Id - 連続ドレイン電流:	3.5 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	10.2 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 10 V, 10 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	700 mV
Qg - ゲート電荷:	11.2 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	1.9 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	NexFET
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Texas Instruments
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	PH
下降時間:	8 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	15 S
水分感度:	Yes
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	11 ns
シリーズ:	CSD13306W
工場パックの数量:	250
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	20 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	7 ns
単位重量:	1.700 mg

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選択した属性: 0

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データシート

CSD13306WT データシート

Images

Mechanical Outline Drawing

PCN

SPICE Models

CSD13306W PSpice Model (Rev. A)

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JPHTS:: 854239099
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

TI N-Channel 8-23-12

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