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CSD16408Q5

Name: Texas Instruments CSD16408Q5
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD16408Q5
Price: 262 JPY
Availability: OutOfStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

595-CSD16408Q5

メーカ番号：

CSD16408Q5

メーカ：

Texas Instruments

詳細：

MOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFET

データシート:

CSD16408Q5 データシート

ECADモデル:

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パッケージング:

完全リール（2500の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥262.3	¥262
	¥235.4	¥2,354
	¥199.1	¥19,910
	¥186.4	¥93,200
	¥155.6	¥155,600
完全リール（2500の倍数で注文）
	¥98.8	¥247,000

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Texas Instruments
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	VSON-CLIP-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	25 V
Id - 連続ドレイン電流:	100 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	5.4 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 16 V, 16 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	1.8 V
Qg - ゲート電荷:	6.7 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	3.1 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	NexFET
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Texas Instruments
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	PH
下降時間:	10.8 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	25 ns
シリーズ:	CSD16408Q5
工場パックの数量:	2500
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	11 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	11.3 ns
単位重量:	105.800 mg

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
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TARIC:: 8542399000
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ECCN:: EAR99

NexFET™ Power MOSFET: CSD16408Q5

The Texas Instruments CSD16408Q5 N-channel NexFET™ power MOSFET minimizes losses in power conversion applications and features ultralow gate charge total and gate charge gate to drain. The TI CSD16408Q5 NexFET MOSFET is avalanche rated and features low thermal resistance. The TI CSD16408Q5 power MOSFET is ideal for Point-of-Load synchronous buck in network, telecom, and computing systems. This NexFET device is also optimized for Control FET applications.

NexFET Nチャンネル・パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET NチャンネルパワーMOSFETは、電力変換アプリケーションでの損失を最小化するように設計されています。これらのNチャンネルデバイスは、超低Qgと低熱抵抗が特徴です。これらのデバイスは、高度に定格されており、SON 5mm x 6mmのプラスチックパッケージでご用意があります。

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFET

The Texas Instruments N-Channel NexFET™ Power MOSFET series features low on resistance coupled with extremely low gate charge, making it ideal for high efficiency/high frequency switching converter and Synchronous FET applications. The TI NexFET Power MOSFET combines vertical current flow with a lateral power MOSFET for a level of performance not previously possible with existing silicon platforms. The TI NexFET minimizes losses in power conversion applications and allows designers to achieve 90-percent power supply efficiencies from light to full loads with high output currents and low duty cycles.

NexFET™ パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET™パワーMOSFETは、同じ抵抗値で半分のゲート電荷を供給するため、設計者は2倍の周波数で90%の電源効率を達成できます。NexFETパワーMOSFETは、横方向のパワーMOSFETと垂直方向の電流の流れを組み合わせています。これらのデバイスは、低オン抵抗を提供し、業界標準のパッケージ外形で極めて低いゲート電荷を必要とします。Texas Instruments NexFETパワーMOSFET技術は、ハイパワーコンピューティング、ネットワーキング、サーバーシステム、および電源でエネルギー効率を向上させます。