ブラウザのJavascriptが無効になっています。このページの機能の一部は、ログインしないと作動しません。

CSD17555Q5A

Name: Texas Instruments CSD17555Q5A
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17555Q5A
Price: 116 JPY
Availability: OutOfStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

595-CSD17555Q5A

メーカ番号：

CSD17555Q5A

メーカ：

Texas Instruments

詳細：

MOSFET 30V N-ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17576Q5B

データシート:

CSD17555Q5A データシート

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

在庫状況

在庫：: 在庫なし

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
工場リードタイム：: 12 週間工場生産予定時間。

数量を入力:

最小: 2500 倍数: 2500

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

この製品は配送無料

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
完全リール（2500の倍数で注文）
	¥116.6	¥291,500

類似製品

メーカ：

Texas Instruments

メーカ番号：

CSD17576Q5B

詳細：

MOSFET 30V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD17576Q5BT

現在のパーツと比較

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Texas Instruments
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	VSONP-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	30 V
Id - 連続ドレイン電流:	100 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	3.4 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	1.5 V
Qg - ゲート電荷:	23 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	3 W
トレードネーム:	NexFET
パッケージ化:	Reel
ブランド:	Texas Instruments
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	CN
製品タイプ:	MOSFETs
シリーズ:	CSD17555Q5A
工場パックの数量:	2500
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

TI N-Channel 8-23-12

NexFET Nチャンネル・パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET NチャンネルパワーMOSFETは、電力変換アプリケーションでの損失を最小化するように設計されています。これらのNチャンネルデバイスは、超低Qgと低熱抵抗が特徴です。これらのデバイスは、高度に定格されており、SON 5mm x 6mmのプラスチックパッケージでご用意があります。