CSD18503KCS

Texas Instruments
595-CSD18503KCS
CSD18503KCS

メーカ：

詳細：
MOSFET 40V N-Ch NexFET Powe r MOSFET

データシート:
ECADモデル:
無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について
詳細を表示
Texas Instruments CSD18503KCSの詳細を読む

在庫: 735

在庫：
735 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
6 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥396.6 ¥397
¥195.9 ¥1,959
¥173.8 ¥17,380
¥149.8 ¥74,900
¥129.9 ¥129,900

製品属性 属性値 属性の選択
Texas Instruments
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
5.4 mOhms
- 20 V, 20 V
1.9 V
30 nC
- 55 C
+ 150 C
143 W
Enhancement
NexFET
Tube
ブランド: Texas Instruments
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: CN
下降時間: 6.8 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 98 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 5.3 ns
シリーズ: CSD18503KCS
工場パックの数量: 50
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 14 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 5.7 ns
単位重量: 2 g
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。
選択した属性: 0

データシート

Images

PCN

Product Catalogs

SPICE Models

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

TI N-Channel 8-23-12


NexFET™ パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET™パワーMOSFETは、同じ抵抗値で半分のゲート電荷を供給するため、設計者は2倍の周波数で90%の電源効率を達成できます。NexFETパワーMOSFETは、横方向のパワーMOSFETと垂直方向の電流の流れを組み合わせています。これらのデバイスは、低オン抵抗を提供し、業界標準のパッケージ外形で極めて低いゲート電荷を必要とします。Texas Instruments NexFETパワーMOSFET技術は、ハイパワーコンピューティング、ネットワーキング、サーバーシステム、および電源でエネルギー効率を向上させます。

NexFET Nチャンネル・パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET NチャンネルパワーMOSFETは、電力変換アプリケーションでの損失を最小化するように設計されています。これらのNチャンネルデバイスは、超低Qgと低熱抵抗が特徴です。これらのデバイスは、高度に定格されており、SON 5mm x 6mmのプラスチックパッケージでご用意があります。

予期しないエラーが発生しました。


質問がありますか？ Help Centre(ヘルプ・センター) にアクセスしてください。
特定の注文に関する質問がある場合は、 your account(あなたのアカウント) にログインしてください。

さらに問題が発生した場合は、800-346-6873にお問い合わせいただくか、 help@mouser.com に電子メールを送ってください。