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CSD18504KCS

Name: Texas Instruments CSD18504KCS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18504KCS
Price: 352 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

595-CSD18504KCS

メーカ番号：

CSD18504KCS

メーカ：

Texas Instruments

詳細：

MOSFET 40V N-Ch NexFET Pwr MOSFET

データシート:

CSD18504KCS データシート

ECADモデル:

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在庫: 727

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	¥352.3	¥352
	¥181.7	¥1,817
	¥154.8	¥15,480
	¥126.6	¥63,300
	¥107.4	¥107,400
	¥103.6	¥259,000
	¥100.8	¥504,000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Texas Instruments
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	40 V
Id - 連続ドレイン電流:	100 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	8 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	1.9 V
Qg - ゲート電荷:	19 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	93 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	NexFET
パッケージ化:	Tube
ブランド:	Texas Instruments
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	CN
下降時間:	4.2 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	72 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	5.2 ns
シリーズ:	CSD18504KCS
工場パックの数量:	50
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	11.2 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	4.4 ns
単位重量:	2 g

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JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

TI N-Channel 8-23-12

NexFET™ パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET™パワーMOSFETは、同じ抵抗値で半分のゲート電荷を供給するため、設計者は2倍の周波数で90%の電源効率を達成できます。NexFETパワーMOSFETは、横方向のパワーMOSFETと垂直方向の電流の流れを組み合わせています。これらのデバイスは、低オン抵抗を提供し、業界標準のパッケージ外形で極めて低いゲート電荷を必要とします。Texas Instruments NexFETパワーMOSFET技術は、ハイパワーコンピューティング、ネットワーキング、サーバーシステム、および電源でエネルギー効率を向上させます。

NexFET Nチャンネル・パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET NチャンネルパワーMOSFETは、電力変換アプリケーションでの損失を最小化するように設計されています。これらのNチャンネルデバイスは、超低Qgと低熱抵抗が特徴です。これらのデバイスは、高度に定格されており、SON 5mm x 6mmのプラスチックパッケージでご用意があります。