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CSD19503KCS

Name: Texas Instruments CSD19503KCS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD19503KCS
Price: 396 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

595-CSD19503KCS

メーカ番号：

CSD19503KCS

メーカ：

Texas Instruments

詳細：

MOSFET 80V 7.6mOhm N-CH Pwr MOSFET

データシート:

CSD19503KCS データシート

ECADモデル:

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在庫: 1,554

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数量	ユニット価格	合計額
	¥396.6	¥397
	¥214.9	¥2,149
	¥173.8	¥17,380
	¥143	¥71,500
	¥124.2	¥124,200
	¥121.3	¥303,250
	¥117.4	¥587,000
	¥116.9	¥1,169,000
25,000	見積り

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Texas Instruments
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	80 V
Id - 連続ドレイン電流:	100 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	9.2 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.8 V
Qg - ゲート電荷:	28 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	188 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	NexFET
パッケージ化:	Tube
ブランド:	Texas Instruments
構成:	Single
組立国:	CN
拡散国:	CN
原産国:	CN
下降時間:	2 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	110 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	3 ns
シリーズ:	CSD19503KCS
工場パックの数量:	50
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	11 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	7 ns
単位重量:	2 g

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JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

NexFET Nチャンネル・パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET NチャンネルパワーMOSFETは、電力変換アプリケーションでの損失を最小化するように設計されています。これらのNチャンネルデバイスは、超低Qgと低熱抵抗が特徴です。これらのデバイスは、高度に定格されており、SON 5mm x 6mmのプラスチックパッケージでご用意があります。

TI N-Channel 8-23-12

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