CSD19531KCS

Texas Instruments
595-CSD19531KCS
CSD19531KCS

メーカ：

詳細：
MOSFET 100V 6.4mOhm Pwr MOS FET

データシート:
ECADモデル:
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥421.9 ¥422
¥208.6 ¥2,086
¥186.4 ¥18,640
¥150.1 ¥75,050
¥140.6 ¥140,600

製品属性 属性値 属性の選択
Texas Instruments
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
100 V
200 A
7.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.7 V
38 nC
- 55 C
+ 175 C
179 W
Enhancement
NexFET
Tube
ブランド: Texas Instruments
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: CN
下降時間: 4.1 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 7.2 ns
シリーズ: CSD19531KCS
工場パックの数量: 50
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 16 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 8.4 ns
単位重量: 2 g
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選択した属性: 0

データシート

Images

PCN

SPICE Models

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JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NexFET™ パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET™パワーMOSFETは、同じ抵抗値で半分のゲート電荷を供給するため、設計者は2倍の周波数で90%の電源効率を達成できます。NexFETパワーMOSFETは、横方向のパワーMOSFETと垂直方向の電流の流れを組み合わせています。これらのデバイスは、低オン抵抗を提供し、業界標準のパッケージ外形で極めて低いゲート電荷を必要とします。Texas Instruments NexFETパワーMOSFET技術は、ハイパワーコンピューティング、ネットワーキング、サーバーシステム、および電源でエネルギー効率を向上させます。

TI N-Channel 8-23-12


NexFET Nチャンネル・パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET NチャンネルパワーMOSFETは、電力変換アプリケーションでの損失を最小化するように設計されています。これらのNチャンネルデバイスは、超低Qgと低熱抵抗が特徴です。これらのデバイスは、高度に定格されており、SON 5mm x 6mmのプラスチックパッケージでご用意があります。

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