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CSD19536KCS

Name: Texas Instruments CSD19536KCS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD19536KCS
Price: 810 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

595-CSD19536KCS

メーカ番号：

CSD19536KCS

メーカ：

Texas Instruments

詳細：

MOSFET 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET

データシート:

CSD19536KCS データシート

ECADモデル:

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在庫: 1,527

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	¥444	¥4,440
	¥402.9	¥40,290
	¥363.4	¥181,700

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Texas Instruments
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	100 V
Id - 連続ドレイン電流:	259 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	2.7 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.1 V
Qg - ゲート電荷:	118 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	375 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	NexFET
パッケージ化:	Tube
ブランド:	Texas Instruments
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	CN
下降時間:	5 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	307 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	8 ns
シリーズ:	CSD19536KCS
工場パックの数量:	50
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	38 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	14 ns
単位重量:	2 g

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CAHTS:: 8541290000
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ECCN:: EAR99

NexFET Nチャンネル・パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET NチャンネルパワーMOSFETは、電力変換アプリケーションでの損失を最小化するように設計されています。これらのNチャンネルデバイスは、超低Qgと低熱抵抗が特徴です。これらのデバイスは、高度に定格されており、SON 5mm x 6mmのプラスチックパッケージでご用意があります。

TI N-Channel 8-23-12

NexFET™ パワーMOSFET

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