CSD19537Q3T

Texas Instruments
595-CSD19537Q3T
CSD19537Q3T

メーカ：

詳細：
MOSFET 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19537Q3

データシート:
ECADモデル:
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（250の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥338.1 ¥338
¥218 ¥2,180
¥128.5 ¥12,850
完全リール（250の倍数で注文）
¥128.5 ¥32,125
¥111.1 ¥55,550
¥109.5 ¥109,500
¥104.3 ¥260,750
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
Texas Instruments
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
VSON-CLIP-8
N-Channel
1 Channel
100 V
53 A
14.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.6 V
16 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Texas Instruments
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: PH
下降時間: 3 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 45 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 3 ns
シリーズ: CSD19537Q3
工場パックの数量: 250
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 10 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 5 ns
単位重量: 24 mg
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選択した属性: 0

データシート

Models

SPICE Models

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JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

NexFET™ パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET™パワーMOSFETは、同じ抵抗値で半分のゲート電荷を供給するため、設計者は2倍の周波数で90%の電源効率を達成できます。NexFETパワーMOSFETは、横方向のパワーMOSFETと垂直方向の電流の流れを組み合わせています。これらのデバイスは、低オン抵抗を提供し、業界標準のパッケージ外形で極めて低いゲート電荷を必要とします。Texas Instruments NexFETパワーMOSFET技術は、ハイパワーコンピューティング、ネットワーキング、サーバーシステム、および電源でエネルギー効率を向上させます。

TI N-Channel 8-23-12


NexFET Nチャンネル・パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET NチャンネルパワーMOSFETは、電力変換アプリケーションでの損失を最小化するように設計されています。これらのNチャンネルデバイスは、超低Qgと低熱抵抗が特徴です。これらのデバイスは、高度に定格されており、SON 5mm x 6mmのプラスチックパッケージでご用意があります。

CSD19537Q3 NチャンネルNexFET™パワーMOSFET

Texas Instruments CSD19537Q3 NチャンネルNexFET™パワーMOSFETは、電力変換アプリケーションでの損失を最小限に抑えるように設計された100V 12.1mΩ NチャンネルNexFETパワーMOSFETです。このMOSFETは、低熱抵抗を用いた超低QgおよびQgdが特徴です。また、アバランシェ定格で、Pbフリー、ハロゲンフリーのRoHS準拠SON-8 3.3mmx3.3mmプラスチックパッケージです。典型的なアプリケーションには、一次側絶縁コンバータおよびモーター制御があります。
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