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CSD25213W10

Name: Texas Instruments CSD25213W10
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25213W10
Price: 83 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

595-CSD25213W10

メーカ番号：

CSD25213W10

メーカ：

Texas Instruments

詳細：

MOSFET P-CH NexFET Pwr MOSF ET

データシート:

CSD25213W10 データシート

ECADモデル:

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在庫: 5,680

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パッケージング:

完全リール（3000の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥83.7	¥84
	¥51.5	¥515
	¥32.9	¥3,290
	¥24.6	¥12,300
	¥22.1	¥22,100
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥18.6	¥55,800
	¥16.9	¥101,400
	¥15	¥135,000

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Texas Instruments
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	DSBGA-4
トランジスタ極性:	P-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	20 V
Id - 連続ドレイン電流:	1.6 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	67 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 6 V, 6 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	850 mV
Qg - ゲート電荷:	2.2 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	1 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	NexFET
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Texas Instruments
構成:	Single
組立国:	PH
拡散国:	CN
原産国:	PH
下降時間:	970 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	520 ns
シリーズ:	CSD25213W10
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 P-Channel
標準電源切断遅延時間:	1 us
ターンオン時の標準遅延時間:	510 ns
単位重量:	1.100 mg

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選択した属性: 0

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JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
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ECCN:: EAR99

TI P-Channel MOSFETs - 8-23-12

NexFET Pチャンネル・パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET PチャンネルパワーMOSFETは、超薄型で優れた熱特性が可能な最小の輪郭で、最低のオン抵抗とゲート充電を提供するように設計されています。これらのNexFET MOSFETは、超低オン抵抗と超低QgとQgd、および1.0mm x 1.5mmの小型フットプリントが特徴です。

NexFET™ パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET™パワーMOSFETは、同じ抵抗値で半分のゲート電荷を供給するため、設計者は2倍の周波数で90%の電源効率を達成できます。NexFETパワーMOSFETは、横方向のパワーMOSFETと垂直方向の電流の流れを組み合わせています。これらのデバイスは、低オン抵抗を提供し、業界標準のパッケージ外形で極めて低いゲート電荷を必要とします。Texas Instruments NexFETパワーMOSFET技術は、ハイパワーコンピューティング、ネットワーキング、サーバーシステム、および電源でエネルギー効率を向上させます。