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CSD25501F3

Name: Texas Instruments CSD25501F3
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25501F3
Price: 60 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

595-CSD25501F3

メーカ番号：

CSD25501F3

メーカ：

Texas Instruments

詳細：

MOSFET -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25501F3T

データシート:

CSD25501F3 データシート

ECADモデル:

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在庫: 7,249

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¥-

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パッケージング:

完全リール（3000の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥60	¥60
	¥36.7	¥367
	¥23.1	¥2,310
	¥17.2	¥8,600
	¥15.2	¥15,200
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥15.2	¥45,600

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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メーカ部品番号:

CSD25501F3T

梱包:

Reel, Cut Tape, MouseReel

在庫状況:

在庫

価格:

¥221

最低:

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メーカ：

Texas Instruments

メーカ番号：

CSD25501F3T

詳細：

MOSFET #NAME?

現在のパーツと比較

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Texas Instruments
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	PICOSTAR-3
トランジスタ極性:	P-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	20 V
Id - 連続ドレイン電流:	3.6 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	260 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	1.05 V
Qg - ゲート電荷:	1.02 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	500 mW
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Texas Instruments
構成:	Single
組立国:	PH
拡散国:	CN
原産国:	PH
下降時間:	945 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	3.4 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	428 ns
シリーズ:	CSD25501F3
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 P-Channel
標準電源切断遅延時間:	1154 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	474 ns
単位重量:	0.300 mg

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選択した属性: 0

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データシート

CSD25501F3 データシート

SPICE Models

CSD25501F3 PSPICE Model

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CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
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CSD25501F3–20V 64mΩ、PチャンネルFemtoFET™ MOSFET

Texas Instruments CSD25501F3 -20V 64mΩ、Pチャンネル FemtoFET™ MOSFETは、数多くのハンドヘルドおよびモバイルアプリケーションにおいてフットプリントを最小限に抑えるように設計および最適化されています。この技術を使用すると、フットプリントサイズを大幅に削減すると同時に、標準の小さな信号MOSFETを置き換えることができます。この統合10kΩクランプ・レジスタ（RC）を使用すると、デューティサイクルに応じてゲート電圧（VGS）が最大内部ゲート酸化物値の-6Vを超過して動作できるようになります。VGSが6V以上に上昇すると、ダイオードを通るゲート漏れ（IGSS）が増加します。