LMG3526R050RQST

Texas Instruments
595-LMG3526R050RQST
LMG3526R050RQST

メーカ：

詳細：
ゲートドライバ 650-V 50-mΩ GaN FE T With Integrated D

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 250

在庫：
250 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
12 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（250の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥3,969 ¥3,969
¥3,104.7 ¥31,047
¥2,965.7 ¥74,143
¥2,651.2 ¥265,120
完全リール（250の倍数で注文）
¥2,158.3 ¥539,575
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
Texas Instruments
製品カテゴリー: ゲートドライバ
RoHS:  
REACH - SVHC:
GaN FET
SMD/SMT
VQFN-52
- 40 C
+ 125 C
LMG3526R050
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Texas Instruments
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: PH
入力電圧－最大: 18 V
入力電圧－最小: 7.5 V
水分感度: Yes
製品タイプ: Gate Drivers
工場パックの数量: 250
サブカテゴリ: PMIC - Power Management ICs
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選択した属性: 0

データシート

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USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

LMG3526R050650VGaN FET

ドライバと保護が統合されたTexas Instrument LMG3526R050650VGaN FETは、スイッチモード電力コンバータを対象としており、設計者が新しい電力密度と効率レベルを達成できるようにします。LMG3526R050は、最大150V/nsのスイッチング速度を可能にするシリコンドライバを集積しています。TI は統合された高精度ゲート バイアスを提供しており、その結果、ディスクリート シリコン ゲートドライバよりも高いスイッチング SOA が得られます。この統合と TIの低インダクタンス パッケージを組み合わせることで、ハード スイッチング電源トポロジで最小限のリンギングとクリーンなスイッチングが実現します。調整可能なゲート駆動強度により、スルー レートを15V/nsから150V/nsまで制御できます。この制御を使用すると、EMI を制御し、スイッチング性能をアクティブに最適化できます。

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