UCC21750DW

595-UCC21750DW
UCC21750DW

メーカ：

詳細：
ガルバニック絶縁型ゲートドライバ 5.7kVrms +/-10A sin gle-channel isolated A 595-UCC21750DWR

ライフサイクル:
製造中止:
メーカーにてモデル廃止予定のため、製造中止となります。
データシート:
ECADモデル:
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最小: 1   倍数: 1
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価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,123.4 ¥1,123
¥867.4 ¥8,674
¥775.8 ¥19,395
¥723.6 ¥86,832
¥693.6 ¥194,208
¥676.2 ¥351,624
¥660.4 ¥660,400
¥651 ¥1,640,520

製品属性 属性値 属性の選択
Texas Instruments
製品カテゴリー: ガルバニック絶縁型ゲートドライバ
RoHS:  
UCC21750
SMD/SMT
SOIC-16
- 40 C
+ 125 C
985 mW
130 ns
33 ns
27 ns
Tube
ブランド: Texas Instruments
構成: Inverting, Non-Inverting
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: TW
水分感度: Yes
ドライバ数: 1 Driver
出力数: 1 Output
出力電流: 10 A
出力電圧: 33 V
製品: Isolated Gate Drivers
製品タイプ: Galvanically Isolated Gate Drivers
工場パックの数量: 40
サブカテゴリ: PMIC - Power Management ICs
供給電圧 - 最大: 33 V
供給電圧 - 最小: 3 V
技術: SiC
単位重量: 754.500 mg
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選択した属性: 0

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CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

UCC21750/UCC21750-Q1シングルチャネル・ゲートドライバ

Texas Instruments UCC21750/UCC21750-Q1シングルチャンネルゲートドライバは、SiC MOSFETおよびIGBT最高2121V DC動作電圧を対象に設計されたガルバニック絶縁ゲートドライバで、高度な保護機能が備わっています。ベストインクラスのダイナミック性能と堅牢性が備わっています。UCC21750/UCC21750-Q1は、最大±10Aのピーク・ソース/シンク電流を供給できます。入力側はSiO2 容量性絶縁技術によって出力側から絶縁され、最大1.5kVRMS の動作電圧に対応し、12.8kVPK のサージ耐性を備えています。40年を超える寿命の絶縁バリアにより、部品間スキューが小さく、150V/nsを超える同相ノイズ耐性 (CMTI) を実現しています。

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