TK9J90E,S1E

Toshiba
757-TK9J90ES1E
TK9J90E,S1E

メーカ：

詳細：
MOSFET PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-3PN

データシート:
ECADモデル:
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¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥628.8 ¥629
¥298.6 ¥2,986
¥263.9 ¥26,390
¥252.8 ¥126,400

製品属性 属性値 属性の選択
Toshiba
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-3P
N-Channel
1 Channel
900 V
9 A
1.3 Ohms
- 30 V, 30 V
2.5 V
46 nC
- 55 C
+ 150 C
250 W
Enhancement
MOSVIII
Tray
ブランド: Toshiba
構成: Single
組立国: CN
拡散国: JP
原産国: CN
下降時間: 35 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 40 ns
シリーズ: TK9J90E
工場パックの数量: 25
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 140 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 80 ns
単位重量: 1.600 g
製品が見つかりました:
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選択した属性: 0

JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

π-MOS VIII MOSFET

Toshiba π-MOS VIII MOSFETは、10Vゲートドライブ、シングルNチャンネルデバイスで、Toshiba第8世代平面半導体プロセスに基づいており、高レベルのセル統合と最適化されたセル設計が組み合わされています。このテクノロジーは、低RDS(ON)の利点を損なうことなく、旧世代に比べてゲート電荷と容量の削減に対応しています。800Vおよび900V定格でご用意があるこれらのMOSFETは、LED照明、補助電源、5.0A以下の電流スイッチングを必要とする他の回路でのフライバックコンバータといったアプリケーションをターゲットとしています。これらは、標準TO-220スルーホールフォームファクタで販売されており、表面実装DPAKパッケージに収められています。

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