FFSH10120A-F085

onsemi
863-FFSH10120A-F085
FFSH10120A-F085

メーカ：

詳細：
SIC SCHOTTKYダイオード 1200V 10A AUTO SIC SBD

データシート:
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合計 額
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¥760 ¥91,200

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: SIC SCHOTTKYダイオード
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-2
Single
10 A
1.2 kV
1.45 V
90 A
200 uA
- 55 C
+ 175 C
FFSH10120A-F085
AEC-Q101
Tube
ブランド: onsemi
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: CN
Pd - 電力損失: 193 W
製品タイプ: SiC Schottky Diodes
工場パックの数量: 30
サブカテゴリ: Diodes & Rectifiers
トレードネーム: EliteSiC
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）: 1.2 kV
単位重量: 5.321 g
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選択した属性: 0

JPHTS:
854110090
CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99

ワイドバンドギャップSiCデバイス

onsemiワイドバンドギャップ（WBG）シリコンカーバイドには、まったく新しいテクノロジが組み込まれており、シリコンに比べて優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現しています。システムのメリットとして、最高クラスの効率性、より早い動作周波数、電力密度の増大、EMIの削減、システムサイズとコストの削減があります。onsemiのSiCポートフォリオには、650Vおよび1200Vダイオード、650Vおよび1200V IGBTとSiCダイオードパワー統合モジュール（PIM）、1200V MOSFETとSiC MOSFETドライバが搭載されており、AEC-Q100の認定を受けています。

D1 EliteSiCダイオード

Onsemi D1 EliteSiCダイオードは、最新のパワーエレクトロニクス・アプリケーション向けに設計された、高性能で汎用性の高いソリューションです。Onsemi D1 の定格電圧は650V、1,200V、1,700Vです。これらのダイオードには柔軟性があり、さまざまな設計要件に適合します。D1 EliteSiCダイオードにはさまざまなパッケージがあります。設計者は、D2PAK2、D2PAK3、TO-220-2、TO-247-2、TO-247-3などからパッケージを選択して基板スペースと熱性能を最適化できます。

FFSH SiCショットキーダイオード

onsemi FFSHシリコンカーバイド（SiC）ショットキーダイオードは、システム効率の改善を実現しており、175°Cの最大接合部温度があります。これらのショットキーダイオードにはスイッチング損失がなく、高サージ電流能力が備わっています。このダイオードには、より高い動作周波数、電力密度の増大、システムのサイズおよびコストの削減を目的に、シリコンカーバイド半導体素材が使用されています。これによって、サージまたは過電圧状態での高い信頼性と堅牢な動作が保証されています。

エネルギーストレージソリューション

Onsemi のエネルギー貯蔵システム（ESS）は、石炭、原子力、風力、太陽光などのさまざまな電力源から電気を蓄え、バッテリ（電気化学的）、圧縮空気（機械的）、溶融塩（熱エネルギー）など、異なる形態で保存します。このソリューションは、ソーラー・インバータ・システムに接続されたバッテリー蓄電システムに焦点を当てています。

1200V SiCショットキーダイオード

onsemi 1200Vシリコンカーバイド（SiC）ショットキーダイオードは、シリコンベースのデバイスに優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現しています。SiCショットキーダイオードには逆回復電流がなく、温度に依存しないスイッチングと優れた熱性能が備わっています。システムのメリットとして、高い効率性、高速動作周波数、高電力密度、低EMI、システムサイズとコストの削減があります。

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