NCP51561DADWR2G

onsemi
863-NCP51561DADWR2G
NCP51561DADWR2G

メーカ：

詳細：
ガルバニック絶縁型ゲートドライバ 5 kVrms Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver

データシート:
ECADモデル:
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最小: 1   倍数: 1
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¥-
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価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥579.9 ¥580
¥437.7 ¥4,377
¥398.2 ¥9,955
¥363.4 ¥36,340
¥353.9 ¥88,475
¥320.7 ¥160,350
完全リール（1000の倍数で注文）
¥319.2 ¥319,200
¥309.7 ¥619,400
¥301.8 ¥1,509,000

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: ガルバニック絶縁型ゲートドライバ
RoHS:  
NCP51561
SMD/SMT
SOIC-16
2 Channel
5 kVrms
- 40 C
+ 125 C
58 ns
11 ns
10 ns
Reel
Cut Tape
ブランド: onsemi
構成: Dual
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: PH
入力電圧－最大: 5 V
入力電圧－最小: 3 V
最長電源切断遅延時間: 58 ns
最長電源投入遅延時間: 58 ns
ドライバ数: 2 Driver
出力数: 2 Output
出力電流: 4.5 A, 9 A
出力電圧: 18.5 V to 30 V
製品: Gate Driver
製品タイプ: Galvanically Isolated Gate Drivers
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: PMIC - Power Management ICs
供給電圧 - 最大: 5 V
供給電圧 - 最小: 3 V
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選択した属性: 0

データシート

PCN

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542310000
USHTS:
8542310030
ECCN:
EAR99

工業用モータ駆動

オンセミ (onsemi) 産業用モータドライブは、効率的で再生可能な技術とインテリジェントな電力を供給する、グローバルな持続可能性のために設計されています。米国エネルギー省（DOE）が発表した「2020年 モータシステム市場分析（MSMA）」によると、産業用ポンプとドライブは毎年、米国送電網全体のほぼ15%を消費しています。また、2020年 MSMAでは、可変周波数ドライブ（VFD）を使用することで、年間3,230万メトリックトンのCO2排出量を削減できると推定しています。オンセミは、ゲートドライバ、MOSFET、IGBT、EliteSiCなど、VFD向けの広範な半導体部品を製造しています。

NCP51561 5kVRMS絶縁デュアルチャンネル・ゲートドライバ

onsemi NCP51561 5kVRMS絶縁デュアルチャンネル・ゲートドライバは、パワーMOSFETおよびSiC MOSFET電源スイッチを駆動する高速スイッチング向けに設計されています。4.5A/9.0A NCP51561ゲートドライバは、短い整合伝搬遅延に対応します。独立した2つの5kVRMS（UL1577等級）ガルバニック絶縁ゲートドライバチャンネルは、低圧側スイッチ2点、高圧側スイッチ2点、あるいはデッドタイムをプログラム可能なハーフブリッジドライバ1点など可能なあらゆる設定に使用できます。イネーブルピンは、「低」に設定されると両方の出力を同時にシャットダウンします。NCP51561ゲートドライバは、ゲートドライバおよびイネーブル機能のための独立した低電圧ロックアウトなど、他の重要な保護機能も内蔵しています。

クラウドパワーマネジメントソリューション

onsemiクラウドパワーマネジメントソリューションは、インフラに不可欠なコンピューティングと接続性を提供します。これらのソリューションは、プロセッサ、メモリバンク、無線基地局にとって重要な電力を供給します。クラウドへの移行が進む中で、効率性と信頼性の重要性はますます高まっています。特にAIサーバーは、最適なパフォーマンスと効率を確保するために信頼性の高い電源を必要としており、AIによるオペレーションの整合性と機能性を維持できるソリューションが不可欠です。onsemiは、AC-DC変換、多相変換、ポイントオブロード電源、ホットスワップ保護など、クラウドインフラのさまざまな電力ニーズに対応する多様なソリューションを提供しています。最先端のテクノロジーや信頼性の高いパフォーマンス、アプリケーションの高度な専門知識を有するonsemiは、基地局、サーバー、データセンターなど、今日のデータ環境における電源供給の理想的なパートナーです。

EliteSiC MOSFETとのペアリングゲートドライバ

EV充電、エネルギー・ストレージ、無停電電力システム(UPS) 、太陽光発電のようなエネルギー・インフラのアプリケーションは、数百キロワット、メガワットまでシステム電力レベルを押し上げています。これらのハイパワー・アプリケーションは、ハーフブリッジ、フルブリッジ、そしてインバータとBLDCに対して最大6つのスイッチまでの3相トポロジ負荷サイクルを採用しています。システム設計者は電力レベルとスイッチング速度に応じて、アプリケーション要件に最適なシリコン、IGBT、SiCなどのさまざまなスイッチ技術を検討します。

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