UJ4SC075009B7S

onsemi
431-UJ4SC075009B7S
UJ4SC075009B7S

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET 750V/9MOSICFETG4TO263-7

データシート:
ECADモデル:
無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について
詳細を表示
onsemi UJ4SC075009B7Sの詳細を読む

在庫: 639

在庫：
639 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
28 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
この製品はリードタイムが長いと報告されています。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥4,947 ¥4,947
¥3,855.2 ¥38,552
¥3,814.1 ¥1,907,050
完全リール（800の倍数で注文）
¥3,599.2 ¥2,879,360

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
D2PAK-7
N-Channel
1 Channel
750 V
106 A
9 mOhms
- 20 V, + 20 V
5.5 V
75 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
SiC FET
ブランド: onsemi
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: CN
下降時間: 14 ns
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 25 ns
シリーズ: UJ4SC
工場パックの数量: 800
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
標準電源切断遅延時間: 65 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 17 ns
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。
選択した属性: 0

データシート

PCN

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

D2PAK-7Lパッケージ750V UJ4C/SC SIC FET

Onsemiの750V UJ4C/SC SIC FETは、D2PAK-7Lパッケージで提供され、オン抵抗は9mΩ〜60mΩの複数のオプションがあります。通常オンのSIC JFETとSi MOSFETを同一パッケージに組み合わせ、通常オフのSIC FETを実現する独自のカスコードSIC FET技術を活用することで、これらのデバイスは優れたRDS ×面積のフィギュアオブメリットを提供し、小型のダイで低い導通損失を実現します。D2PAK-7Lパッケージは、コンパクトな内部接続ループからのインダクタンスの削減を実現しており、同梱のKelvinソース接続と共にスイッチング損失を低く抑え、より高い周波数動作とシステム電力密度の向上が可能になります。5つの並列ガルウィングソース接続により、低インダクタンスと大電流の使用が可能になります。銀焼結ダイアタッチは低い熱抵抗を提供し、標準的なPCBおよびIMS基板で液冷を使用することで、最大の熱放出を実現します。

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FET

Qorvo UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETは、業界で有数の性能指数を誇るハイパフォーマンス・シリーズの1製品です。高速（動作）での導電損失を低減して効率性を高め、全体的な費用対効果を改善します。Gen 4 シリーズは5.4mΩ ～60mΩ の範囲で選択でき、独自のカソード構造をベースにしています。高性能SiC JFETは、カソードが最適化されたSi-MOSFETと一緒にパッケージ化（コパッケージ化）されており、標準的なゲートドライブSiCデバイスを生産できます。UJ4C/SC 750V FETの標準的なゲートドライブ特性により、「ドロップイン交換」機能を実現できます。設計者は、既存のSi IGBT、Si FET、SiC FET、またはSiスーパージャンクションデバイスをQorvo UJ4C/SC FETに交換してゲートドライブ電圧を変更することなく、システム性能を大幅に高めることができます。

予期しないエラーが発生しました。


質問がありますか？ Help Centre(ヘルプ・センター) にアクセスしてください。
特定の注文に関する質問がある場合は、 your account(あなたのアカウント) にログインしてください。

さらに問題が発生した場合は、800-346-6873にお問い合わせいただくか、 help@mouser.com に電子メールを送ってください。