WP7113PD1BT/BD-P22

Kingbright
604-WP7113PD1BTBDP22
WP7113PD1BT/BD-P22

メーカ：

詳細：
フォトダイオード 5mm PHOTODIODE

データシート:
ECADモデル:
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥135.9 ¥136
¥93.9 ¥939
¥68.7 ¥6,870
¥56.2 ¥28,100
¥52.5 ¥52,500
¥43.8 ¥87,600
¥41.2 ¥206,000
¥39 ¥390,000
¥37.6 ¥940,000

製品属性 属性値 属性の選択
Kingbright
製品カテゴリー: フォトダイオード
RoHS:  
Photodiodes
T-1 3/4
Through Hole
940 nm
10 nA
170 V
6 ns
6 ns
20 deg
- 40 C
+ 85 C
ブランド: Kingbright
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: CN
パッケージ化: Bulk
Pd - 電力損失: 150 mW
光電流: 2 uA
製品タイプ: Photodiodes
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: Optical Detectors & Sensors
単位重量: 309.803 mg
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選択した属性: 0

データシート

PCN

Product Catalogs

JPHTS:
8541400103
CNHTS:
8541490000
CAHTS:
8541410000
USHTS:
8541410000
TARIC:
8541401000
MXHTS:
8541410100
BRHTS:
85414011
ECCN:
EAR99

NPN Si Phototransistors

Kingbright NPN Si Phototransistors are made with NPN silicon phototransistor chips. These phototransistors are mechanically and spectrally matched to infrared-emitting LED lamps. The NPN Si phototransistors operate at a temperature range from -40°C to +85°C. These phototransistors feature a maximum collector-to-emitter voltage of 30V and an emitter-to-collector voltage of 5V. Typical applications include infrared applied systems, optoelectronic switches, and photodetector control circuits.

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