AFGHL25T120RWD

Name: onsemi AFGHL25T120RWD
Brand: onsemi
SKU: 863-AFGHL25T120RWD
Price: 1436 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

863-AFGHL25T120RWD

メーカ番号：

AFGHL25T120RWD

メーカ：

onsemi

詳細：

IGBT FS7 1200V 25A SCR IGBT TO247 3L

ライフサイクル:

Mouser 初

データシート:

AFGHL25T120RWD データシート

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	IGBT
RoHS:
技術:	Si
パッケージ/ケース:	TO-247-3
取り付け様式:	Through Hole
構成:	Single
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値:	1.2 kV
コレクタ - エミッタ飽和電圧:	1.38 V
最大ゲートエミッタ電圧:	20 V
25 Cでのコレクターの直流:	50 A
Pd - 電力損失:	468 W
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
シリーズ:	AFGHL25T120RWD
パッケージ化:	Tube
ブランド:	onsemi
連続コレクタ電流 IC 最大値:	25 A
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	CN
ゲート - エミッタリーク電流:	400 nA
製品タイプ:	IGBTs
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Transistors

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データシート

AFGHL25T120RWD データシート

USHTS:: 8541290095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

AFGHxL25TシングルNチャンネル1,200V 25A IGBT

onsemi AFGHxL25TシングルNチャンネル1,200V 25A絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT) は、堅牢で費用対効果の高いフィールドストップVIIトレンチ構造が特徴です。onsemi AFGHxL25Tは、要求の厳しいスイッチングアプリケーションでの優れた性能を実現しています。低オン電圧および最小スイッチング損失には、車載アプリケーションでの最適なハードおよびソフトスイッチングトポロジ性能が備わっています。