BFU530XAR

NXP Semiconductors
771-BFU530XAR
BFU530XAR

メーカ：

詳細：
RFバイポーラトランジスタ NPN wideband silicon RF transistor

ライフサイクル:
製造中止:
メーカーにてモデル廃止予定のため、製造中止となります。
データシート:
ECADモデル:
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥121.7 ¥122
¥75.1 ¥751
¥49.5 ¥4,950
¥38.9 ¥19,450
¥33.2 ¥33,200
完全リール（3000の倍数で注文）
¥25.3 ¥75,900

製品属性 属性値 属性の選択
NXP
製品カテゴリー: RFバイポーラトランジスタ
RoHS:  
BFU530X
Bipolar Wideband
Si
NPN
11 GHz
60
12 V
2 V
40 mA
- 40 C
+ 150 C
Single
SMD/SMT
SOT-143B-4
Reel
Cut Tape
ブランド: NXP Semiconductors
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: CN
最大 DC コレクタ電流: 65 mA
出力電力: 10 dBm
Pd - 電力損失: 450 mW
製品タイプ: RF Bipolar Transistors
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
別の部品番号: 934067707215
単位重量: 8.870 mg
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選択した属性: 0

データシート

PCN

JPHTS:
854121000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210075
KRHTS:
8541219000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

BFU5x NPN 広帯域シリコン RF トランジスタ

NXPセミコンダクタ BFU5x NPN広帯域シリコンRFトランジスタはAEC-Q101規格を満たした低ノイズ、高いブレークダウンのRFトランジスタで、小型信号から最大2GHzの中程度の出力アプリケーションに適しています。優れた性能を発揮するBFU5x RFトランジスタは、20dBの最大ゲインおよび900MHzにおけるノイズ指数0.7dBを発生させます。これらのデバイスにより、低電力から中電力域で信号受信が向上し、RFレシーバがノイズ環境でより頑強に動作できます。（低ノイズ）アンプまたはオシレータとして使用する際、BFU5x RFトランジスタは高い供給電圧およびブレークダウン電圧に対応します。これらのデバイスは自動車、通信、および産業用途に最適です。製品ファミリーは、SOT323、SOT23、およびSOT143を含む産業標準パッケージを幅広くご用意しております。
詳細

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