C3M0032120D

Name: Wolfspeed C3M0032120D
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C3M0032120D
Price: 2095 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

941-C3M0032120D

メーカ番号：

C3M0032120D

メーカ：

Wolfspeed

詳細：

SiC MOSFET 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET

データシート:

C3M0032120D データシート

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Wolfspeed
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	63 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	32 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 4 V, + 15 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3.6 V
Qg - ゲート電荷:	114 nC
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	283 W
チャネルモード:	Enhancement
ブランド:	Wolfspeed
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	CN
下降時間:	19 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	27 S
パッケージ化:	Tube
製品:	MOSFETs
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	22 ns
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
標準電源切断遅延時間:	39 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	107 ns
単位重量:	6 g

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ECCN:: EAR99

炭化ケイ素1200V MOSFETとダイオード

Wolfspeedシリコンカーバイド（SiC）1200V MOSFETとダイオードは、要求水準の高い用途で高効率を達成するための強力な相互作用を生み出します。これらのMOSFETおよびショットキーダイオードは、高電力アプリケーションでの使用を目的に設計されています。1200V SiC MOSFETは、安定したR_ds(on) 過熱耐性およびアバランシェ耐性を特徴としています。これらのMOSFETは、外付けダイオードを必要としない堅牢なボディダイオードで、15Vゲートドライブが備わっているため駆動が簡単です。1200V SiC MOSFETは、スイッチング損失と伝導損失を低減し、システムレベルの電力密度を改善することで、システムレベルの効率を向上させます。

SiC C3M MOSFET

Cree SiC C3M MOSFETは、より高いスイッチング周波数を可能にし、インダクタ、コンデンサ、フィルタ、変調器の部品サイズを縮小します。 SiC C3M MOSFETには、より高いシステム効率があり、冷却要件を削減します。 MOSFETは電力密度、およびシステム切替頻度も増加します。

1,200VシリコンカーバイドパワーMOSFET

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