C3M0032120K

Wolfspeed
941-C3M0032120K
C3M0032120K

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET

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¥1,200.8 ¥144,096

製品属性 属性値 属性の選択
Wolfspeed
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
63 A
32 mOhms
- 4 V, + 15 V
3.6 V
118 nC
- 40 C
+ 175 C
283 W
Enhancement
ブランド: Wolfspeed
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: CN
下降時間: 9 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 27 S
パッケージ化: Tube
製品: MOSFETs
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 18 ns
工場パックの数量: 30
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
標準電源切断遅延時間: 32 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 25 ns
単位重量: 6 g
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データシート

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

SiC C3M MOSFET

Cree SiC C3M MOSFETは、より高いスイッチング周波数を可能にし、インダクタ、コンデンサ、フィルタ、変調器の部品サイズを縮小します。 SiC C3M MOSFETには、より高いシステム効率があり、冷却要件を削減します。 MOSFETは電力密度、およびシステム切替頻度も増加します。

1,200Vシリコンカーバイド・ショットキーダイオード

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炭化ケイ素1200V MOSFETとダイオード

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C3M0032120KシリコンカーバイドパワーMOSFET

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1,200VシリコンカーバイドパワーMOSFET

Wolfspeed   1,200VシリコンカーバイドパワーMOSFETは、性能、堅牢性、容易な設計性の基準を設定します。Wolfspeed MOSFETは、高速スイッチングおよび低スイッチング損失機能が特徴で、シリコンMOSFETおよびIGBT電流に比べてシステム効率、電力密度、全体的なBOMコストの大幅な向上を保証します。

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