C3M0060065K

Wolfspeed
941-C3M0060065K
C3M0060065K

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60 mohm, 650V, TO-247-4, Industrial

データシート:
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,453.6 ¥1,454
¥1,003.3 ¥10,033
¥845.3 ¥101,436
¥633.6 ¥323,136

製品属性 属性値 属性の選択
Wolfspeed
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
37 A
60 mOhms
- 4 V, + 15 V
3.6 V
46 nC
- 40 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
ブランド: Wolfspeed
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: CN
下降時間: 5 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 10 S
パッケージ化: Tube
製品: MOSFETs
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 11 ns
工場パックの数量: 30
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
標準電源切断遅延時間: 17 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 8 ns
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選択した属性: 0

データシート

PCN

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

650Vシリコンカーバイド・パワーMOSFET

Wolfspeed 650Vシリコンカーバイド・パワーMOSFETは、効率性と電力密度を最大限に高めるためにオン状態抵抗およびスイッチング損失を低く抑えます。650V MOSFETは、サーバー電源、電気自動車充電システム、エネルギー貯蔵システム、ソーラー（PV）インバータ、無停電電源、バッテリ管理システムをはじめとする高性能パワーエレクトロニクスの用途向けに最適化されています。シリコンと比較してWolfspeed 650VシリコンカーバイドMOSFETは、75%低いスイッチング損失、 ½ Ωの導通損失、3倍高い電力密度を実現できます。

SiC C3M MOSFET

Cree SiC C3M MOSFETは、より高いスイッチング周波数を可能にし、インダクタ、コンデンサ、フィルタ、変調器の部品サイズを縮小します。 SiC C3M MOSFETには、より高いシステム効率があり、冷却要件を削減します。 MOSFETは電力密度、およびシステム切替頻度も増加します。

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