C4MS025120K1

Name: Wolfspeed C4MS025120K1
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C4MS025120K1
Price: 1956 JPY
Availability: OutOfStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

941-C4MS025120K1

メーカ番号：

C4MS025120K1

メーカ：

Wolfspeed

詳細：

SiC MOSFET SiC, MOSFET, 25mohm, 1200V, TO-247-4-LP, Industrial

ライフサイクル:

新製品:

このメーカーの新製品

データシート:

C4MS025120K1 データシート (PDF)

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

Wolfspeed C4MS025120K1の詳細を読む

在庫状況

在庫：: 在庫なし

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
工場リードタイム：: 納期見積依頼

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥1,956	¥1,956
	¥1,592.6	¥15,926
	¥1,325.6	¥159,072
	¥1,181.8	¥602,718
	¥1,102.8	¥1,124,856

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Wolfspeed
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	86 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	25 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.6 V
Qg - ゲート電荷:	125 nC
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	366 W
チャネルモード:	Enhancement
ブランド:	Wolfspeed
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	US
下降時間:	11 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	28 S
製品:	SiC MOSFET
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	4 ns
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
タイプ:	Silicon Carbide Power MOSFET
標準電源切断遅延時間:	36 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	12 ns

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

C4MS025120K1 データシート (PDF)

ECCN:: EAR99

1200V C4MS SiC ディスクリート MOSFET

Wolfspeed 1200V C4MS ディスクリート炭化ケイ素（SiC）MOSFETは、ハードスイッチアプリケーションで比類のない性能を発揮します。C4MSファミリは、オーバーシュートやリンギングを最小限に抑えながら高速スイッチングを可能にする、高速でソフトなボディダイオードを採用しています。これにより、エンジニアがアプリケーションで性能を調整・最適化するための設計の自由度が広がります。C4MS ファミリは、C3M デバイスファミリと比較して E_on、E_RR、E_off の損失が改善されており、低い R _DS(on)の温度係数も維持しています。このバランスの取れたアプローチにより、ハードスイッチング方式とソフトスイッチング方式の両方の幅広いトポロジにおいて、最高の性能と効率を実現します。