CDF56G6517N TR13 PBFREE

Central Semiconductor
610-CDF56G6517NTR13P
CDF56G6517N TR13 PBFREE

メーカ：

詳細：
GaN FET 650V, 17A, N-Channel GaN FET

データシート:
ECADモデル:
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EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥894.3 ¥894
¥688.9 ¥6,889
¥500.9 ¥50,090
¥486.6 ¥486,600
完全リール（2500の倍数で注文）
¥407.6 ¥1,019,000

製品属性 属性値 属性の選択
Central Semiconductor
製品カテゴリー: GaN FET
RoHS:  
SMD/SMT
DFN-8
N-Channel
1 Channel
650 V
17 A
140 mOhms
- 1.4 V, + 7 V
2.5 V
3.5 nC
- 55 C
+ 150 C
113 W
Depletion
ブランド: Central Semiconductor
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: CN
下降時間: 4 ns
最高動作周波数: 100 kHz
最小動作周波数: 0 Hz
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
製品タイプ: GaN FETs
上昇時間: 5 ns
工場パックの数量: 2500
サブカテゴリ: Transistors
技術: GaN
標準電源切断遅延時間: 4 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 3 ns
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選択した属性: 0

データシート

JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

GaN N-Channel FETs

Central Semiconductor GaN N-Channel FETs excel in high voltage and low RDS(ON), making them ideal for efficient soft-switching applications. Central Semiconductor GaN FETs come in 100V (60A), 150V (60A), 650V (11A), 650V (17A), and 700V (18A) versions. The devices are available in practical surface-mount, chip-scale packages, and bare dies. Ideally, these FETs are used in switch-mode power supplies, high-power chargers, and Electric Vehicle (EV) inverters.

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