DIF120SIC022-AQ

Diotec Semiconductor
637-DIF120SIC022-AQ
DIF120SIC022-AQ

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET SiC MOSFET, TO-247-4L, 0, 120A, 1200V, 0.0223?, Automotive

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製品属性 属性値 属性の選択
Diotec Semiconductor
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
120 A
22.3 mOhms
- 4 V, + 18 V
4 V
269 nC
- 55 C
+ 175 C
340 W
Enhancement
DIF120SIC022-AQ
ブランド: Diotec Semiconductor
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: CN
下降時間: 35 ns
パッケージ化: Tube
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 38 ns
シリーズ: SIC120
工場パックの数量: 30
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
標準電源切断遅延時間: 108 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 150 ns
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USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Diotec Semiconductor TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are ideally suited for high voltage and high frequency switching used in charging systems for electric vehicles (EV), solar inverters, or telecom power supplies. These MOSFETs feature a high 1200V and 650V reverse voltage, extremely low on-resistance, total Gate charge, low switching time, and low total switching energy. Advanced planar technology and the Silicon Carbide wafer material enable higher on-resistances at higher switching frequencies. These MOSFETs are used in DC-DC converters, DC drives, inverters, charging stations, Power Factor Correction (PFC), solar inverters, and power supplies.

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