DIF120SIC028

Name: Diotec Semiconductor DIF120SIC028
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DIF120SIC028
Price: 5237 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

637-DIF120SIC028

メーカ番号：

DIF120SIC028

メーカ：

Diotec Semiconductor

詳細：

SiC MOSFET

ライフサイクル:

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データシート:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Diotec Semiconductor
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	118 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	28 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4 V
Qg - ゲート電荷:	373 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	715 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	DIF120SIC028
ブランド:	Diotec Semiconductor
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	CN
下降時間:	49 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	45 S
製品:	MOSFETs
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	104 ns
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	156 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	156 ns

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ECCN:: EAR99

TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Diotec Semiconductor TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are ideally suited for high voltage and high frequency switching used in charging systems for electric vehicles (EV), solar inverters, or telecom power supplies. These MOSFETs feature a high 1200V and 650V reverse voltage, extremely low on-resistance, total Gate charge, low switching time, and low total switching energy. Advanced planar technology and the Silicon Carbide wafer material enable higher on-resistances at higher switching frequencies. These MOSFETs are used in DC-DC converters, DC drives, inverters, charging stations, Power Factor Correction (PFC), solar inverters, and power supplies.