FFSP1065B

onsemi
863-FFSP1065B
FFSP1065B

メーカ：

詳細：
SIC SCHOTTKYダイオード SIC DIODE 650V 10A

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 840

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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥617.8 ¥618
¥314.4 ¥3,144
¥284.4 ¥28,440
¥238.6 ¥238,600

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: SIC SCHOTTKYダイオード
RoHS:  
Through Hole
TO-220-2
Single
10 A
650 V
1.38 V
45 A
40 uA
- 55 C
+ 175 C
FFSP1065B
Tube
ブランド: onsemi
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: CN
Pd - 電力損失: 75 W
製品タイプ: SiC Schottky Diodes
工場パックの数量: 50
サブカテゴリ: Diodes & Rectifiers
トレードネーム: EliteSiC
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）: 650 V
単位重量: 3.698 g
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選択した属性: 0

データシート

PCN

CNHTS:
8541100000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

D2 EliteSiCダイオード

onsemi D2 EliteSiC ダイオードは、650Vの定格電圧を必要とする用途向けに設計された高性能ダイオードです。onsemi D2 には、DPAK-3、D2PAK-2、D2PAK-3、PQFN-4、TO-220-2、TO-220-3、TO-247-2、TO-247-3など、さまざまなパッケージがあります。これらのダイオードには、低容量電荷 (QC) が備わっており、低順方向電圧の高速スイッチング用に最適化されています。これらの機能によってこのダイオードは力率補正（PFC）および出力整流アプリケーションに最適です。

650V SiCショットキーダイオード

onsemi 650Vシリコンカーバイド（SiC）ショットキーダイオードは、シリコンベースのデバイスに優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現しています。SiCショットキーダイオードには逆回復電流がなく、温度に依存しないスイッチングと優れた熱性能が備わっています。システムのメリットとして、高い効率性、高速動作周波数、高電力密度、低EMI、システムサイズとコストの削減があります。

FFSP SiCショットキーダイオード

onsemi FFSP SiC（シリコンカーバイド）ショットキーダイオードは、シリコン（Si）専用デバイスにシリコンカーバイドを活用するように設計されています。FFSP SiCショットキーダイオードは、大幅に高い順方向サージ能力、低い逆漏洩が特徴で、逆回復電流がありません。また、これらのSiCショットキーダイオードは、温度の影響を受けないスイッチング特性および優れた熱性能も特徴です。この結果、システム効率の向上、より早い動作周波数、電力密度の増大、EMIの削減、システムサイズとコストの削減がもたらされました。

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