FP35R12N2T7BPSA2

Infineon Technologies
726-FP35R12N2T7BPSA2
FP35R12N2T7BPSA2

メーカ：

詳細：
IGBT モジュール 1200 V, 35 A PIM IGBT module

データシート:
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製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: IGBT モジュール
RoHS:  
IGBT Silicon Modules
3-Phase Inverter
1.2 kV
1.6 V
35 A
100 nA
- 40 C
+ 175 C
Tray
ブランド: Infineon Technologies
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: AT
製品タイプ: IGBT Modules
工場パックの数量: 15
サブカテゴリ: IGBTs
技術: Si
別の部品番号: FP35R12N2T7 SP005597311 FP35R12N2T7BPSA1
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選択した属性: 0

データシート

JPHTS:
854121000
CNHTS:
8504409100
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

1200V PIM 3相入力整流器

Infineon Technologies 1200V PIM 3相入力整流器は、EconoPIM™ 2 1200V、100A 3相PIM IGBTモジュールです。この整流器は、TRENCHSTOP™ IGBT7、エミッタ制御7ダイオード、NTCを備えています。整流器とブレーキチョッパが統合されているPIM（パワー統合モジュール）によって、システムコストの節約が可能になります。

1,200V PIM IGBTモジュール

Infineon 1,200V PIM IGBTモジュールには、最新のマイクロパターントレンチ技術に基づいたTRENCHSTOP™ IGBT7およびEC7ダイオード技術が搭載されています。この技術によって損失が大幅に低減し、高レベルの制御性が実現しています。セルの概念は、以前に使用されていた正方形のトレンチセルと比較して、サブミクロンのメサによって分離された平行なトレンチセルを実装で特徴付けられています。チップは、工業ドライブアプリケーションと太陽光エネルギーシステム向けに特別に最適化されています。これは、はるかに低い静的損失、より高い電力密度、さらにソフトなスイッチングを意味します。Infineon 1,200V PIM IGBTモジュールで最大175°Cまで許容最高動作温度を上昇させることによって、電力密度を大幅に増大させることができます。

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