FS01M3R08A8MA2CHPSA1

Infineon Technologies
726-FS01M3R08A8MA2CH
FS01M3R08A8MA2CHPSA1

メーカ：

詳細：
ディスクリート半導体モジュール HybridPACK Drive G2 module with SiC MOSFET

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製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: ディスクリート半導体モジュール
Module
SiC
4.56 V
- 5 V, + 19 V
Press Fit
HybridPACK
- 40 C
+ 175 C
Tray
ブランド: Infineon Technologies
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: DE
下降時間: 58 ns
Id - 連続ドレイン電流: 530 A
製品タイプ: Discrete Semiconductor Modules
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース: 2 mOhms
上昇時間: 96 ns
サブカテゴリ: Discrete and Power Modules
トレードネーム: HybridPACK
標準電源切断遅延時間: 338 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 114 ns
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧: 750 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧: 4.55 V
別の部品番号: FS01M3R08A8MA2C SP006157554
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ECCN:
EAR99

HybridPACK™ Drive G2モジュール

Infineon Technologies HybridPACK™ Drive G2モジュールは、ハイブリッド車や電気自動車のトラクション用途向けに設計されたコンパクトなパワーモジュールです。Infineon Technologies G2（第2世代）モジュールは、同じモジュールサイズを維持しつつSiまたはSiC技術を使用して性能レベルを拡張できるだけでなく、さまざまなチップセットセットに対応しています。2017年に、シリコンEDT2技術を用いたG1が登場し、実際の運転での効率性が最適化されました。2021年、CoolSiC™ バージョンを投入し、より高いセル密度と優れた性能を実現しました。2023年、750Vおよび1200Vクラスで出力が最大300kWの性能を誇るHybridPACK Drive G2 (第2世代) を発表しました。EDT3 (Si IGBT) およびCoolSiC™ G2 MOSFET技術を搭載し、使い勝手の良さとセンサの統合オプションを実現しています。

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