GCMX003A120S3B1-N

SemiQ
148-GCMX003A120S3B1N
GCMX003A120S3B1-N

メーカ：

詳細：
MOSFETモジュール 1200V, 3mohm, 625A SiC MOSFET Half Bridge Module

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製品属性 属性値 属性の選択
SemiQ
製品カテゴリー: MOSFETモジュール
RoHS:  
SiC
Screw Mount
S3
N-Channel
2 Channel
1.2 kV
625 A
5.5 mOhms
- 5 V, + 20 V
4 V
- 40 C
+ 150 C
2.113 kW
GCMX
Bulk
ブランド: SemiQ
組立国: US
拡散国: Not Available
原産国: US
下降時間: 28 ns
高さ: 30 mm
長さ: 106.4 mm
製品: Modules
製品タイプ: MOSFET Modules
上昇時間: 21 n
工場パックの数量: 15
サブカテゴリ: Discrete and Power Modules
タイプ: Half Bidge Module
標準電源切断遅延時間: 138 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 79 ns
Vf - 順電圧（Forward Voltage）: 4 V
幅: 61.4 mm
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選択した属性: 0

データシート

JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

GCMX 1,200V SiC MOSFETハーフブリッジ モジュール

SemiQ GCMX 1,200V SiC MOSFETハーフブリッジモジュールは、低スイッチング損失、低接合部対ケース熱抵抗、非常に頑丈で簡単な取付を可能にします。これらのモジュールは、ヒートシンク（絶縁パッケージ）を直接取り付け、安定した動作のためのKelvinリファレンスを含みます。すべての部品は、1,350V以上の電圧に耐えうるよう厳格にテストされています。これらのモジュールの際立った特徴は、堅牢な1,200Vドレイン－ソース間電圧です。GCMXハーフブリッジモジュールは、175°Cの接合部温度で動作し、RoHSに準拠しています。代表的なアプリケーションには、太陽光発電インバータ、バッテリ充電器、エネルギー貯蔵システム、高電圧DC-DCコンバータがあります。

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