GP2T040A120J

Name: SemiQ GP2T040A120J
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP2T040A120J
Price: 1864 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

148-GP2T040A120J

メーカ番号：

GP2T040A120J

メーカ：

SemiQ

詳細：

SiC MOSFET 1200V, 40mOhm, TO-263-7L MOSFET

データシート:

GP2T040A120J データシート (PDF)

ECADモデル:

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	¥1,213.4	¥121,340
	¥1,082.3	¥541,150
	¥1,011.2	¥1,011,200

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	SemiQ
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	TO-263-7
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	66 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	38 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4 V
Qg - ゲート電荷:	112 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	357 W
チャネルモード:	Enhancement
ブランド:	SemiQ
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	PH
下降時間:	12 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	16 S
パッケージ化:	Tube
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	5 ns
シリーズ:	GP2T020A120
工場パックの数量:	50
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
標準電源切断遅延時間:	28 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	14 ns

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データシート

GP2T040A120J データシート (PDF)

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

GP2T040A120x SiC MOSFETs

SemiQ GP2T040A120x SiC MOSFETs benefit many applications, including Power Factor Correction, DC-DC Converter Primary Switching, and Synchronous rectification. The GP2T040A120x when combined with Silicon Carbide Schottky diodes offers optimal performance that can be achieved without the trade-offs made with Silicon devices. EV Charging, Solar/Wind, Industrial Controls, and HVAC systems benefit from the increased performance achieved with SemiQ SiC MOSFETs.