IDH04G65C5XKSA2

Infineon Technologies
726-IDH04G65C5XKSA2
IDH04G65C5XKSA2

メーカ：

詳細：
SIC SCHOTTKYダイオード SIC DIODES

データシート:
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EST関税:

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数量 ユニット価格
合計 額
¥355.5 ¥356
¥154.1 ¥1,541
¥139.5 ¥13,950
¥114.9 ¥57,450

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: SIC SCHOTTKYダイオード
RoHS:  
Through Hole
TO-220-2
Single
4 A
650 V
1.5 V
38 A
200 nA
- 55 C
+ 175 C
XDH04G65
Tube
ブランド: Infineon Technologies
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: AT
Pd - 電力損失: 48 W
製品タイプ: SiC Schottky Diodes
工場パックの数量: 500
サブカテゴリ: Diodes & Rectifiers
トレードネーム: CoolSiC
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）: 650 V
別の部品番号: IDH04G65C5 SP001632402
単位重量: 2 g
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選択した属性: 0

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JPHTS:
854110090
CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
KRHTS:
8541109000
TARIC:
8541100000
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99

炭化ケイ素CoolSiC™ MOSFET&ダイオード

Infineon炭化ケイ素CoolSiC™ MOSFETとダイオードは、よりスマートで効率的なエネルギーの生成、伝送、消費のニーズに応える包括的なポートフォリオを提供します。CoolSiCポートフォリオは、中〜高出力システムにおいて、システムのサイズとコストを削減するお客様のニーズに応えます。最高の品質基準を満たし、長寿命を確保し、信頼性を保証します。CoolSiCを使用することで、お客様は最も厳しい効率性目標を達成しつつ、運用コストを削減できます。ポートフォリオには、CoolSiC SCHOTTKYダイオード、CoolSiCハイブリッドモジュール、CoolSiC MOSFETモジュール、ディスクリート部品、及び炭化ケイ素デバイスを駆動するためのEiceDRIVER™ ゲートドライバICが含まれています。

CoolSiC™ショットキー・ダイオード

Infineon CoolSiC™ショットキーダイオードは、比較的高いON状態抵抗と漏れ電流を実現しています。SiC材料では、ショットキーダイオードは大幅に高いブレークダウン電圧に達する可能性があります。InfineonのSiCショットキー製品のポートフォリオは、600Vおよび650V～1200Vショットキーダイオードをカバーしています。高速シリコンベースのスイッチとCoolSiC™ショットキーダイオードの組み合わせは、多くの場合、「ハイブリッド」ソリューションと呼ばれます。近年Infineonは、数百万のハイブリッドモジュールを製造しています。それらは、ソーラーやUPSのようなアプリケーションにおいて、さまざまな顧客製品に設置されています。

Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes

Infineon Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes deliver market-leading efficiency at an attractive cost point. Infineon’s proprietary diffusion soldering process, already introduced with Generation 3, is now combined with a new, more compact design as well as the latest advancements in thin wafer technology, bringing improved thermal characteristics and lower Figures of Merit (Qc x Vf).

パワーの違いを体験する

インフィニオンは、パワー半導体市場のリーダーです。20年以上の経験を持ち、画期的なCoolMOS™ スーパージャンクションMOSFETテクノロジーの革新者であるInfineonは、電源管理分野での先駆者としての地位を維持しています。お客様は、業界で最も幅広いシリコンベースのSJ MOSFETポートフォリオから、個々の設計およびシステム要件に応じて選択できます。主要な3つの電源テクノロジーをすべて網羅している数少ないメーカーの一つとして、Infineonは革新的なワイドバンドギャップ（WBG）製品をこのポートフォリオに追加しています。この製品には、炭化ケイ素ベースのCoolSiC™ MOSFET、対応するダイオード、および窒化ガリウムベースのCoolGaN™ e-mode HEMTが含まれています。優れたコストパフォーマンスから比類のない堅牢性、そして最高クラスのデバイスまで、さまざまなソリューションが提供されています。これにより、顧客はより効率的で環境に優しく、持続可能なアプリケーションを構築できます。

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