IGL65R080D2XUMA1

Infineon Technologies
726-IGL65R080D2XUMA1
IGL65R080D2XUMA1

メーカ：

詳細：
GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5

ライフサイクル:
新製品:
このメーカーの新製品
データシート:
ECADモデル:
無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について
詳細を表示
Infineon Technologies IGL65R080D2XUMA1の詳細を読む

在庫: 2,534

在庫：
2,534
すぐに出荷可能
取寄中:
3,000
工場リードタイム：
18
週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥876.9 ¥877
¥608.3 ¥6,083
¥436.1 ¥43,610
¥404.5 ¥202,250
完全リール（3000の倍数で注文）
¥328.6 ¥985,800

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: GaN FET
RoHS:  
SMD/SMT
HEMT
1 Channel
650 V
18 A
100 mOhms
- 10 V
1.6 V
25 nC
- 55 C
+ 150 C
81 W
Enhancement
CoolGaN
ブランド: Infineon Technologies
構成: Single
組立国: MY
拡散国: DE
原産国: AT
下降時間: 17 ns
水分感度: Yes
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
製品: GaN FETs
製品タイプ: GaN FETs
上昇時間: 8 ns
シリーズ: CoolGaN G5
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
技術: Si
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 11 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 8 ns
別の部品番号: IGL65R080D2 SP006065174
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。
選択した属性: 0

データシート

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CoolGaN™650V G5 トランジスタ

Infineon Technologies CoolGaN™ 650V G5トランジスタは、電力変換用の高効率窒化ガリウム（GaN）トランジスタ技術を特徴としています。650V G5 ファミリは、消費者、データセンター、産業、および太陽電池アプリケーションの課題に対応します。このトランジスタは、超高速スイッチング機能により、システム効率と電力密度を改善します。CoolGaNテクノロジーは、システム全体の性能を高めるように設計されたディスクリートおよび統合ソリューションを提供します。Infineon Technologies CoolGaN650VG5トランジスタは、高い動作周波数を可能にし、EMI定格を低減します。このトランジスタは、配電、スイッチモード電源（SMPS）、電気通信、その他の産業用アプリケーションに最適です。

予期しないエラーが発生しました。


質問がありますか？ Help Centre(ヘルプ・センター) にアクセスしてください。
特定の注文に関する質問がある場合は、 your account(あなたのアカウント) にログインしてください。

さらに問題が発生した場合は、800-346-6873にお問い合わせいただくか、 help@mouser.com に電子メールを送ってください。