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IGLD65R080D2AUMA1

Name: Infineon IGLD65R080D2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGLD65R080D2AUMA
Price: 839 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

726-IGLD65R080D2AUMA

メーカ番号：

IGLD65R080D2AUMA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5

ライフサイクル:

新製品:

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データシート:

IGLD65R080D2AUMA1 データシート (PDF)

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	¥568.8	¥5,688
	¥423.4	¥42,340
	¥404.5	¥202,250
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥342.9	¥1,028,700
6,000	見積り

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	GaN FET
RoHS:
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	PG-LSON-8
トランジスタ極性:	HEMT
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	18 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	100 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 10 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	1.2 V
Qg - ゲート電荷:	3.3 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	68 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	CoolGaN
ブランド:	Infineon Technologies
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	PH
下降時間:	17 ns
水分感度:	Yes
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
製品:	GaN Transistors
製品タイプ:	GaN FETs
上昇時間:	8 ns
シリーズ:	650 V G5
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	GaN
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	11 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	8 ns
別の部品番号:	IGLD65R080D2 SP005918713

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データシート

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JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolGaN™650V G5 トランジスタ

Infineon Technologies CoolGaN™ 650V G5トランジスタは、電力変換用の高効率窒化ガリウム（GaN）トランジスタ技術を特徴としています。650V G5 ファミリは、消費者、データセンター、産業、および太陽電池アプリケーションの課題に対応します。このトランジスタは、超高速スイッチング機能により、システム効率と電力密度を改善します。CoolGaNテクノロジーは、システム全体の性能を高めるように設計されたディスクリートおよび統合ソリューションを提供します。Infineon Technologies CoolGaN650VG5トランジスタは、高い動作周波数を可能にし、EMI定格を低減します。このトランジスタは、配電、スイッチモード電源（SMPS）、電気通信、その他の産業用アプリケーションに最適です。