ブラウザのJavascriptが無効になっています。このページの機能の一部は、ログインしないと作動しません。

IKW08N120CS7XKSA1

Name: Infineon IKW08N120CS7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW08N120CS7XKSA
Price: 639 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

726-IKW08N120CS7XKSA

メーカ番号：

IKW08N120CS7XKSA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

IGBT 1200 V, 8 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package

データシート:

IKW08N120CS7XKSA1 データシート (PDF)

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

Infineon Technologies IKW08N120CS7XKSA1の詳細を読む

在庫: 230

在庫：: 230 すぐに出荷可能

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
工場リードタイム：: 14 週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥639.9	¥640
	¥352.3	¥3,523
	¥311.3	¥31,130
	¥248.1	¥119,088

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	IGBT
技術:	Si
パッケージ/ケース:	TO-247-3
取り付け様式:	Through Hole
構成:	Single
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値:	1.2 kV
コレクタ - エミッタ飽和電圧:	1.65 V
最大ゲートエミッタ電圧:	- 20 V, 20 V
25 Cでのコレクターの直流:	21 A
Pd - 電力損失:	106 W
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 175 C
シリーズ:	IGBT7 S7
パッケージ化:	Tube
ブランド:	Infineon Technologies
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	DE
ゲート - エミッタリーク電流:	100 nA
製品タイプ:	IGBT Transistors
工場パックの数量:	240
サブカテゴリ:	IGBTs
トレードネーム:	TRENCHSTOP
別の部品番号:	IKW08N120CS7 SP005419704

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

IKW08N120CS7XKSA1 データシート (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

International Rectifier 1200V 第8世代IGBT

International Rectifier 1200V 第8世代IGBTは、IRの最新世代のトレンチゲート、フィールドストップ技術を業界標準のTO-247パッケージで提供し、産業用途や省エネ用途向けにクラス最高の性能を提供します。この第8世代の技術は、モーター駆動アプリケーションに最適なよりソフトになったターンオフ特性とdv/dtの最小化によってEMIと過電圧を低減させ、信頼性と堅牢性を向上させます。この第8世代IGBTは、1.7Vの標準VCE(ON)で8A～60Aの定格電流を供給し、10µsの短絡定格によって電力損失率を低減させるため、その結果として電力密度と堅牢性を向上できます。薄いウエハー技術を使用する第8世代の1200V IGBTは、熱抵抗を低減し、接合部最高温度は175°Cです。
詳細

IGBT7ディスクリート

Infineon Technologies IGBT7ディスクリートは、マイクロパターントレンチ技術で作られたTRENCHSTOP™ IGBTの第7世代です。高度技術によって、比類のない制御と性能が実現しており、アプリケーションでの大幅な損失低減、効率性の向上、電力密度の増大がもたらされています。

TRENCHSTOP™ IGBT7ディスクリートとモジュール

Infineon Technologies TRENCHSTOP™ IGBT7ディスクリートとモジュールは、可変速度ドライブ用に設計されています。すべての産業用ドライブの半数に電気速度制御を実装できれば、エネルギーを最大20％、もしくはCO₂ を1,700万トン削減できると考えられています。Infineonは、TRENCHSTOP IGBT7技術を活用してこの動きを促進しています。

TRENCHSTOP™ IGBT7 S7

Infineon Technologies TRENCHSTOP™ IGBT7 S7は、短絡機能と堅牢性を必要とする全産業用アプリケーション向けに、広範な1200Vポートフォリオを提供します。IGBT7S7は、効率的な短絡堅牢ディスクリートIGBTで、他より少なくとも10%低い飽和電圧を実現しています。