ブラウザのJavascriptが無効になっています。このページの機能の一部は、ログインしないと作動しません。

IKW40N120CH7XKSA1

Name: Infineon IKW40N120CH7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW40N120CH7XKSA
Price: 982 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

726-IKW40N120CH7XKSA

メーカ番号：

IKW40N120CH7XKSA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

IGBT 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package

データシート:

IKW40N120CH7XKSA1 データシート (PDF)

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

Infineon Technologies IKW40N120CH7XKSA1の詳細を読む

在庫: 630

在庫：: 630 すぐに出荷可能

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
工場リードタイム：: 26 週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥982.8	¥983
	¥579.9	¥5,799
	¥483.5	¥48,350
	¥462.9	¥222,192

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	IGBT
RoHS:
最大ゲートエミッタ電圧:	- 20 V, 20 V
シリーズ:	IGBT7 H7
パッケージ化:	Tube
ブランド:	Infineon Technologies
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	CN
製品タイプ:	IGBT Transistors
工場パックの数量:	240
サブカテゴリ:	IGBTs
トレードネーム:	TRENCHSTOP
別の部品番号:	IKW40N120CH7 SP005551390

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

IKW40N120CH7XKSA1 データシート (PDF)

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IGBT7ディスクリート

Infineon Technologies IGBT7ディスクリートは、マイクロパターントレンチ技術で作られたTRENCHSTOP™ IGBTの第7世代です。高度技術によって、比類のない制御と性能が実現しており、アプリケーションでの大幅な損失低減、効率性の向上、電力密度の増大がもたらされています。

650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7ディスクリート・トランジスタ

Infineon Technologies 650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7ディスクリートトランジスタは、高度技術が特徴で、効率的なエネルギーアプリケーションの需要を満たしています。Infineon Technologies 650Vトランジスタは、正確な制御と高性能を目的とした最先端のマイクロパターントレンチ設計が特徴です。この設計により、ストリング・インバーター、エネルギー貯蔵システム（ESS）、EV充電、産業用UPS、溶接などといった、さまざまな産業において、大幅な損失の削減、効率性の改善、電力密度の向上がもたらされます。

1200V TRENCHSTOP IGBT7 H7 ディスクリートトランジスタ

インフィニオン (Infineon) 1200V TRENCHSTOP IGBT7 H7 ディスクリートトランジスタは、マイクロパターントレンチ技術で設計された、第7世代の1200V TRENCHSTOP™ IGBTです。これらのIGBTディスクリートは、高レベルの制御性、低導通ロス、低スイッチングロス、改善されたEMI性能、過酷な環境条件下での湿度に対する堅牢性の向上提供します。IGBT7 H7ディスクリートトランジスタは、優れたスイッチング挙動を維持しながら低ゲート抵抗（最低5Ω）を選択できます。これらのトランジスタは、急速EV充電、産業用加熱および溶接、無停電電源装置（UPS）アプリケーションで使用されます。