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IKW75N120CH7XKSA1

Name: Infineon IKW75N120CH7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW75N120CH7XKSA
Price: 1319 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
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Mouser 番号：

726-IKW75N120CH7XKSA

メーカ番号：

IKW75N120CH7XKSA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

IGBT 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package

データシート:

IKW75N120CH7XKSA1 データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	IGBT
RoHS:
シリーズ:	IGBT7 H7
パッケージ化:	Tube
ブランド:	Infineon Technologies
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	DE
製品タイプ:	IGBT Transistors
工場パックの数量:	240
サブカテゴリ:	IGBTs
トレードネーム:	TRENCHSTOP
別の部品番号:	IKW75N120CH7 SP005578265

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データシート

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1200V TRENCHSTOP IGBT7 H7 ディスクリートトランジスタ

インフィニオン (Infineon) 1200V TRENCHSTOP IGBT7 H7 ディスクリートトランジスタは、マイクロパターントレンチ技術で設計された、第7世代の1200V TRENCHSTOP™ IGBTです。これらのIGBTディスクリートは、高レベルの制御性、低導通ロス、低スイッチングロス、改善されたEMI性能、過酷な環境条件下での湿度に対する堅牢性の向上提供します。IGBT7 H7ディスクリートトランジスタは、優れたスイッチング挙動を維持しながら低ゲート抵抗（最低5Ω）を選択できます。これらのトランジスタは、急速EV充電、産業用加熱および溶接、無停電電源装置（UPS）アプリケーションで使用されます。

IGBT7ディスクリート

Infineon Technologies IGBT7ディスクリートは、マイクロパターントレンチ技術で作られたTRENCHSTOP™ IGBTの第7世代です。高度技術によって、比類のない制御と性能が実現しており、アプリケーションでの大幅な損失低減、効率性の向上、電力密度の増大がもたらされています。

650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7ディスクリート・トランジスタ

Infineon Technologies 650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7ディスクリートトランジスタは、高度技術が特徴で、効率的なエネルギーアプリケーションの需要を満たしています。Infineon Technologies 650Vトランジスタは、正確な制御と高性能を目的とした最先端のマイクロパターントレンチ設計が特徴です。この設計により、ストリング・インバーター、エネルギー貯蔵システム（ESS）、EV充電、産業用UPS、溶接などといった、さまざまな産業において、大幅な損失の削減、効率性の改善、電力密度の向上がもたらされます。