IMZA65R039M1HXKSA1

Infineon Technologies
726-IMZA65R039M1HXKS
IMZA65R039M1HXKSA1

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

データシート:
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¥-
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EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,489.9 ¥1,490
¥902.2 ¥9,022
¥842.1 ¥84,210
¥824.8 ¥395,904

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
50 A
50 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
41 nC
- 55 C
+ 175 C
176 W
Enhancement
ブランド: Infineon Technologies
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: CN
パッケージ化: Tube
製品タイプ: SiC MOSFETS
工場パックの数量: 240
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
別の部品番号: IMZA65R039M1H SP005423796
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選択した属性: 0

データシート

Product Catalogs

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

CoolSiC™ MOSFETs 650V

Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFET650Vは、炭化ケイ素の物理的強度とデバイスの性能、信頼性、使いやすさを向上させる機能を兼ね備えています。最先端のトレンチ半導体プロセスによって、CoolSiC™ MOSFETは、アプリケーションでの損失を最小限に抑え、動作時に最高の信頼性を実現します。CoolSiCは、高温で過酷な環境のアプリケーションでの使用に完璧に適しています。

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