ブラウザのJavascriptが無効になっています。このページの機能の一部は、ログインしないと作動しません。

IPA95R450PFD7XKSA1

Name: Infineon IPA95R450PFD7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPA95R450PFD7XKS
Price: 423 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

726-IPA95R450PFD7XKS

メーカ番号：

IPA95R450PFD7XKSA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

MOSFET LOW POWER_NEW

データシート:

IPA95R450PFD7XKSA1 データシート (PDF)

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

Infineon Technologies IPA95R450PFD7XKSA1の詳細を読む

在庫: 487

在庫：: 487 すぐに出荷可能

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
工場リードタイム：: 2 週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥423.4	¥423
	¥210.1	¥2,101
	¥189.6	¥18,960
	¥151.5	¥75,750
	¥149.8	¥149,800

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	MOSFET
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220FP-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	950 V
Id - 連続ドレイン電流:	7.2 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	450 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 30 V, 30 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3.5 V
Qg - ゲート電荷:	43 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	30 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Tube
ブランド:	Infineon Technologies
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	DE
下降時間:	4.7 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	8.7 ns
工場パックの数量:	500
サブカテゴリ:	Transistors
標準電源切断遅延時間:	45 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	9 ns
別の部品番号:	IPA95R450PFD7 SP005547011

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

IPA95R450PFD7XKSA1 データシート (PDF)

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFET

Infineon Technologies 950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETには、スーパー・ジャンクション（SJ）技術が採用されています。SJ技術は、最先端の使いやすさが備わったベストインクラスの性能が組み込まれているため、照明および工業SMPSアプリケーションに最適です。PFDJは、最低レベルの逆回復電荷（Qrr）が備わった共振トポロジでの使用が可能になる統合超高速ボディダイオードです。